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[期刊论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法...
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方...
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