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[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
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[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,孙同年,杨瑞霞,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然...
[会议论文] 作者：孙聂枫,杨瑞霞,周晓龙,孙同年,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷化铟单晶。本文讨论了关于......
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