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[会议论文] 作者：王阳,杨瑞霞,杨帆,刘志国,李晓岚,康永,张鑫,李宁,孙同年,孙,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应 年份：2012
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[会议论文] 作者：王阳,孙聂枫,杨瑞霞,杨帆,刘志国,李晓岚,康永,张鑫,李宁,孙同年,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点.这些特性决定InP材料在固态发光、微波通信、光纤通信、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔.......
[会议论文] 作者：黄清芳,孙聂枫,李晓岚,李帅,杨建业,邵会民,史艳磊,王阳,刘惠生,孙同年,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
本文利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术.主要讨论了晶体生长过程中引晶、放肩、等径控制等因素对单晶生...
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