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[会议论文] 作者：宋炳文,杨玉林,李艳辉,李全保,姬荣斌,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
碲镉汞(MCT)薄膜是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是目前制作高性能IRFPRs的最好材料.本文重点研究碲镉汞薄膜的金属有机气相外延掺杂生长的工艺条件....
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