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碲镉汞(MCT)薄膜是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是目前制作高性能IRFPRs的最好材料.本文重点研究碲镉汞薄膜的金属有机气相外延掺杂生长的工艺条件.
HgCdTe薄膜的MOVPE掺杂生长
【摘 要】
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碲镉汞(MCT)薄膜是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是目前制作高性能IRFPRs的最好材料.本文重点研究碲镉汞薄膜的金属有机气相外延掺杂生长的工艺条件.
【机 构】
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昆明物理研究所(云南昆明)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年8期
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