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[期刊论文] 作者：李银龙,孙云,杨旭东,周志强,刘芳芳,李锋,宋登元,刘玮,
来源：科学通报 年份：2021
NiOx为宽带隙p型半导体材料,其能带结构更适于用作c-Si(n)异质结空穴传输层.为了简化问题,本文研究了NiOx与Si构成的单面异质结无背场太阳电池,其结构为Al栅/ITO/NiOx/SiOx/c-Si(n)/SiOx/Al.通过研究不同溅射参数下NiOx材料的光学、电学及能带结构,分析NiOx/c-S......
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