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[期刊论文] 作者：李培,郭红霞,郭旗,文林,崔江维,王信,张晋新,,
来源：物理学报 年份：2015
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒...
[期刊论文] 作者：文林,李豫东,郭旗,孙静,任迪远,崔江维,汪波,玛丽娅,,
来源：微电子学 年份：2015
为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析...
[期刊论文] 作者：文林,李豫东,郭旗,孙静,任迪远,崔江维,汪波,玛丽娅,,
来源：微电子学 年份：2015
为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,...
[期刊论文] 作者：周航,崔江维,郑齐文,郭旗,任迪远,余学峰,,
来源：物理学报 年份：2015
随着半导体技术的进步,集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域,使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战.进行小尺寸器件电离辐射环...
,Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradi
[期刊论文] 作者：郑齐文,崔江维,周航,余德昭,余学峰,陆妩,郭旗,任迪远,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
Functional failure mode of commercial deep sub-micron static random access memory (SRAM) induced by total dose irradiation is experimentally analyzed and verifi...
[期刊论文] 作者：李培,郭红霞,郭旗,张晋新,肖尧,魏莹,崔江维,文林,刘默寒,王信,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this paper the single-event responses of the silicon germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe HBTs) are investigated by TCAD simulations and laser m...
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