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氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED
[期刊论文] 作者：张源涛, 邓高强, 孙瑜, 来源：吉林大学学报(信息科学版) 年份：2023
针对AlGaN（Aluminum Gallium Nitride）基深紫外LED（Light Emitting Diode）发光效率低、工作偏压较大的问题，设计了一种带有n+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al0.65Ga0.35N电子提供层、 Al0.65Ga0.35N/Al0.5Ga0.5N多量子......
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