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[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管（BiFET）飘移扩散理论，包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅,把两维晶体管分解成两个一维问题，以表面势为参变量，得到解析方程，提供实用硅基和氧化层厚度......
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管（BiFET）及其理论．把两维晶体管分解成两个一维晶体管，得到解析方程．以表面势为参变量，采用电化（准费米）势梯度驱动力计算电流．提供实用电极直流电压及器件参数......
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2007
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久，1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道，同时并存.理算晶体管输出特性和转移...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅( MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维问题,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及...
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