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[期刊论文] 作者：孙启利,邓书康,申兰先,胡志华,李德聪,晒旭霞,孟代义,
来源：人工晶体学报 年份：2013
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si（400）的基片上生长含锗（Ge）填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射（Raman Scattering）、X射线...
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