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[期刊论文] 作者：曾一平,,
来源：当代医学 年份：2014
目的探讨颅底骨折致脑脊液漏的临床治疗措施。方法回顾性分析福建省惠安县医院于2008年6月~2013年2月收治的68例颅底骨折致脑脊液漏患者的临床资料,总结分析临床治疗措施。结...
[会议论文] 作者：曾一平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的不断进步,推动了化合物半导体材料及器件的不断发展,而半导体物理的新理论、新器件、新材料的提出、又带动了MOCVD技术的不断进步.近几年,半导体照明产业的高速发展,不仅带动了MOCVD装备产业的高速发展,也极大推动了MOCVD设备......
[期刊论文] 作者：曾一平,冯喜奎,
来源：纺织器材 年份：2014
为了提高梳棉机梳理效果,改善棉网及成纱质量,介绍了盖板针布的发展概况,阐述了梳棉机不同梳理区附加齿条盖板针布的特点和要求,比较了锯齿条式和植针式梳理针布的结构形式和...
[期刊论文] 作者：张理嫩,刘超,崔利杰,曾一平,,
来源：半导体技术 年份：2014
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基...
[会议论文] 作者：蒋国文,冉军学,熊衍凯,胡国新,胡强,曾一平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
2011年以来,生产LED的关键设备MOCVD进入国产化阶段.MOCVD主要应用于化合物半导体材料外延,在光电子和微电子材料制备领域有广泛应用,在新型电力电子器件领域有潜在市场应用.目前MOCVD设备在LED产业已得到大规模使用,MOCVD设备国产化已成为半导体照明产业的必然......
[会议论文] 作者：熊衍凯,蒋国文,冉军学,胡国新,胡强,曾一平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
近年来,由于在缓冲层中插入n-InGaN/GaN超晶格能够有效缓解LED有源区的应力,该方法从而成为大家提高LED发光强度的手段之一.目前为止,超晶格的结构参数包括周期和阱宽垒厚等对LED发光强度的影响均进行过研究.而本论文的目的则是研究n-InGaN/GaN恒温超晶格周期数......
[会议论文] 作者：胡国新,梁勇,冉军学,胡强,熊衍凯,曾一平,李晋闽,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
用金属有机物化学沉积(MOCVD)设备生长薄膜材料,通常需要各种源材料以及携带气体.源材料包括金属有机源(MO源)和氨气等气体源,两种反应物混合携带气体后分别通入生长室,在衬底上均匀混合,生成所需要的化合物.源材料通入方式的不同,决定不同的气流模式,所以设备......
[会议论文] 作者：冉军学,熊衍凯,蒋国文,胡强,胡国新,曾一平,李晋闽,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
MOCVD作为化合物半导体外延的基础核心设备,实现国产化具有重要意义,近两年我国国产MOCVD设备技术发展较快,得到了应用验证.在LED结构材料中,作为有源区,量子阱(MQW)的质量是是LED性能的关键参数,量子阱的生长对设备的一些重要性能指标,如温度、气流控制等方面......
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