搜索筛选:
搜索耗时0.8079秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：科技创新导报 年份：2016
物联网是信息技术领域一次重大的发展和变革,被认为是继计算机、互联网和移动通信网络之后的第三次信息产业浪潮。物联网的基本功能是信息的普遍感知,但通过无线传感器网络等...
[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：科技创新导报 年份：2016
摘 要：该报告围绕大失配异质体系的应力调控和外延生长动力学这一重要科学问题，从基于图形衬底外延成核入手，研究了大失配外延的成核机理，外延掺杂机理，优化了GaN基蓝光量子阱LED的外延结构生长和设计，提出了新型掺杂技术，进而有效提高了GaN LED结构材料的内量子效率；此......
[期刊论文] 作者：曾一平,,
来源：好家长 年份：2016
由于学困生的学习习惯从小就没有养成、缺乏科学的学习方法,有的是受到社会、家庭、学校负面因素的影响,造成学习成绩长期达不到教学大纲所规定要求的水准,在思想上也有很大...
[期刊论文] 作者：任敬川,刘超,崔利杰,曾一平,,
来源：半导体光电 年份：2016
相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展...
[期刊论文] 作者：牛吉强,张杨,关敏,王成艳,崔利杰,杨秋旻,李弋洋,曾一平,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
Lead poisoning is a serious environmental concern,which is a health threat.Existing technologies always have some drawbacks,which restrict their application ran...
[期刊论文] 作者：闫果果,张峰,钮应喜,杨霏,刘兴昉,王雷,赵万顺,孙国胜,曾一平,,
来源：半导体光电 年份：2016
利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在朝[11-20]方向偏转4°的(0001)Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,研究了生长温度及氯硅比(Cl/Si比)对外延生...
[期刊论文] 作者：闫果果,张峰,钮应喜,杨霏,刘兴昉,王雷,赵万顺,孙国胜,曾一平,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC epilayers was performed on 4° off-axis 4H-SiC substrates in a home-made vertical hot-wall chemical vapor dep...
相关搜索：
