搜索筛选:
搜索耗时0.8501秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：郭维,丁扣宝,韩成功,朱大中,韩雁,,
来源：浙江大学学报(工学版) 年份：2011
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件（NLDMOS）在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究....
[会议论文] 作者：Zhang Bin,Han Yan,Zhang Shifeng,Hu Jiaxian,Zhu Dazhong,张斌,韩雁,张世峰,胡佳贤,朱大中,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文根据国内现有工艺水平提出了一种高压平面栅型IGBT新的结构及其制作方法,在三重扩散工艺的基础上,通过保留正面的扩散残留层来减弱JFET电阻,不但可以省略JFET注入工...
[会议论文] 作者：Zhang Bin,张斌,Han Yan,韩雁,Zhang Shifeng,张世峰,Hu Jiaxian,胡佳贤,Zhu Dazhong,朱大中,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文根据国内现有工艺水平提出了一种高压平面栅型IGBT新的结构及其制作方法,在三重扩散工艺的基础上,通过保留正面的扩散残留层来减弱JFET电阻,不但可以省略JFET注入工艺,节省生产成本,而且由于三重扩散的深度扩散特点使研磨减薄后保留下来的残留层表面掺杂浓......
相关搜索：
