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本文根据国内现有工艺水平提出了一种高压平面栅型IGBT新的结构及其制作方法,在三重扩散工艺的基础上,通过保留正面的扩散残留层来减弱JFET电阻,不但可以省略JFET注入工艺,节省生产成本,而且由于三重扩散的深度扩散特点使研磨减薄后保留下来的残留层表面掺杂浓度呈现出线性缓变结的特性。因此,与常规的JFET注入方法相比,在导通压降下降、电流能力上升的同时,IGBT的击穿电压受到的影响小,而且这些器件特性受工艺涨落的影响小。