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[期刊论文] 作者：李寅鑫,苏伟,刘娟,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2008
光导开关（PCSS）在暗态耐压测试中耐压值低于理论值。根据GaAs材料特性，分析了暗态下光导开关的击穿机理。指出碰撞电离与电流控制负微分迁移率交应是导致开关击穿的直接原因。使......
[期刊论文] 作者：刘娟,时世泰,李寅鑫,戴文明,,
来源：传感器与微系统 年份：2008
对设计制作的3mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究。试验中比较了光导开关的静态绝缘电阻、暗电流和击穿电压之间的关系，发现在1kV时暗电流不高于3μA的光导开关在试...
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