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[期刊论文] 作者：刘奇初,李志中,,
来源：实用预防医学 年份：2006
目的 了解和探讨三硝基甲苯（TNT）接触职工皮肤污染状况及职业性TNT晶状体损害的相关危险因素。方法 对378名TNT作业职工进行健康状况横断面调查并描述流行病学分析；以体检中新诊......
[期刊论文] 作者：郑秋平,李志中,,
来源：中国临床医学影像杂志 年份：2006
目的：探讨CT对霉菌性鼻窦炎的诊断价值。材料与方法：收集18例经病理证实的霉菌性鼻窦炎的影像资料进行分析。结果：根据其CT表现可归纳如下特点：①病变多为单侧性；②病变部位以上颌......
[会议论文] 作者：周伟,李志中,宋宏儒,
来源：2006遥感科技论坛暨中国遥感应用协会2006年年会 年份：2006
海岸带是海陆交替的过渡带，生态系统具有明显的脆弱性，由于自然和人类活动的共同作用对海岸带的生态环境造成一定的影响。 本文选取1991年和2001年两时期遥感影像，通过对影...
[期刊论文] 作者：赵红丽, 范景辉, 李志中,,
来源：北京交通管理干部学院学报 年份：2006
文章阐述了G IS技术和GPS技术在物流系统中应用的可能性,介绍了引入G IS和GPS技术的现代物流系统的总体结构及其具体功能,最后指出G IS、GPS技术必将大大提高现代物流系统的...
[期刊论文] 作者：郑秋平,李志中,吴祺钊,,
来源：中国民康医学 年份：2006
目的：探讨脐尿管病变的CT表现，提高对该病的认识。方法：6例脐尿管病变患者经CT扫描诊断并手术病理确诊。结果：6例中2例脐尿管囊肿，1例脐尿管囊肿并感染，2例脐尿管瘘并感染，1例脐尿管......
[期刊论文] 作者：郑秋平,李志中,吴祺钊,
来源：中国民康医学 年份：2006
目的：探讨脉络膜裂蛛网膜囊肿的CT、MRI表现。方法：回顾分析经CT和MRI诊断为脉络膜裂蛛网膜囊肿的患者18例，CT轴位扫描12例，冠状扫描3例，其中增强扫描8例。MRI进一步检查6例，直接MR......
[会议论文] 作者：郑秋平,李志中,吴祺钊,
来源：2006全国医学影像学术交流会 年份：2006
脉络膜裂蛛网膜囊肿属于神经上皮性囊肿，因发生率不高，且无明显的临床症状与体征，多为偶然发现，故以往文献报道较少，而且误诊率高。笔者搜集本院10年来经CT、MRI及临床随访证实的18例脉络膜裂蛛网膜囊肿进行分析，根据其发生的特殊部位和CT、MRI的特征性表现，可提高本病......
[会议论文] 作者：郜志华,陈光华,李志中,邓金祥,丁毅,
来源：2006年全国功能材料学术年会 年份：2006
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(MW-ECRCVD)法,BF3-H2-N2-Ar为反应气体,制备立方氮化硼薄膜.应用傅立叶红外光谱(FTIR),定性地研究通入的H2和N2流量对制备的...
[期刊论文] 作者：马占洁,陈光华,何斌,刘国汉,朱秀红,张文理,李志中,郜志华,
来源：真空科学与技术学报 年份：2006
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运...
[会议论文] 作者：李志中,陈光华,何斌,郜志华,张晓康,丁毅,张岩,周涛,邓金祥,
来源：2006年全国功能材料学术年会 年份：2006
用射频溅射系统制备了c-BN薄膜,并且用离子注入的方法在c-BN薄膜中注入Be,制备了p-c-BN/pSi薄膜同型异质结,并研究了异质结的电学性质.注入Be的c-BN薄膜是采用传统的13.56MHz射频溅射系统,用hBN(纯度为99.8﹪)为靶材,在p型Si(100)衬底上沉积得到的.离子注入时,注......
[期刊论文] 作者：朱秀红,陈光华,刘国汉,丁毅,何斌,张文理,马占洁,郜志华,李志中,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出...
[会议论文] 作者：张岩,候碧辉,邓金祥,周涛,陈浩,李志中,何斌,陈光华,王丽香,郝伟,
来源：2006年全国功能材料学术年会 年份：2006
RF射频溅射法制备c-BN薄膜,使用离子注入法将Be注入c-BN薄膜中进行掺杂,测量了掺杂前后c-BN薄膜的表面电阻率,并计算掺杂后c-BN薄膜激活能.c-BN薄膜利用射频溅射两步法制备而成,离子注入能量为190keV,注入剂量在10151016ions/cm2之间,薄膜在离子注入后经400～800......
[会议论文] 作者：李志中[1]陈光华[1]何斌[1]郜志华[1]张晓康[2]丁毅[2]张岩[3]周涛[3]邓金祥[3],
来源：2006年全国功能材料学术年会 年份：2006
用射频溅射系统制备了c-BN薄膜,并且用离子注入的方法在c-BN薄膜中注入Be,制备了p-c-BN/pSi薄膜同型异质结,并研究了异质结的电学性质.注入Be的c-BN薄膜是采用传统的13.56MHz...
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