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[期刊论文] 作者：赵鸿麟,李斌桥,
来源：半导体学报 年份：1991
用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道区和栅漏之间的区域均有较强的电场,使得大量...
[期刊论文] 作者：李斌桥,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1996
采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺设计并制作了一种模拟型的Ｈａｍｍｉｎｇ神经网络集成电路。测试结果表明，网络中的宏单元，模板匹配运算电路，可很好地实现容差匹配的功能，将芯片用作识别器，识别手写体阿拉伯数字的实......
[期刊论文] 作者：赵鸿麟,李斌桥,潘姬,
来源：天津大学学报 年份：1988
本文的工作以内转换电子穆斯堡尔谱为主,并结合离子探针以及电学和光学等参数的测量,对硅中注入的F_e~+进行综合研究。根据实验结果我们认为在低温退火前后,高剂量注入的铁不...
[期刊论文] 作者：赵鸿麟,李斌桥,陈弘达,
来源：半导体学报 年份：1991
用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道区和栅漏之间的区域均有较强的电场,使得大量...
[期刊论文] 作者：李斌桥,李志坚,石秉学,
来源：半导体学报 年份：1995
采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作了一种全对称、电流型的多端ＭＡＸ门和ＭＩＮ门电路．实验结果表明，ＭＡＸ门的输出相对最大输入电流的偏差较小，最大偏差为５μＡ；ＭＩＮ门的输出相对最小输入电流的偏差略大于ＭＡＸ门，最大偏差约为１３μ......
[期刊论文] 作者：李斌桥,李志坚,石秉学,
来源：半导体学报 年份：1996
采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺设计并制作了一种模拟型的Ｈａｍｍｉｎｇ神经网络集成电路．测试结果表明，网络中的宏单元，模板匹配运算电路，可很好地实现容差匹配的功能．将芯片用作识别器，识别手写体阿拉伯数字的实验......
[期刊论文] 作者：郑云光,郭维廉,李树荣,李斌桥,王阳元,张利春,马平西,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
利用Yih－FenyChyan等的PET大注入模型，并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响，编制了程序。结合实例模拟了在大注入下具有发射区、基区指......
[期刊论文] 作者：郑云光,李斌桥,李树荣,郭维廉,高松,张建杰,王阳元,张利春,马平西,
来源：电子学报 年份：1997
本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－ＦｅｎｇＣｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注人模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输人特性、输出特性、电流增益和频率特性（ｆｒ和ｆｍａｘ），并对一些特性曲......
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