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[期刊论文] 作者：李茂顺,
来源：水泥 年份：2010
2007年我公司投产一条年产60万t水泥粉磨生产线，烘干采用φ2.4m×18m顺流回转烘干机，烘干的物料为粉煤灰和矿渣的混合物。烘干机尾部配一台120—2×6型袋式除尘器。烘...
[期刊论文] 作者：李茂顺,,
来源：城市开发 年份：2010
《公共机构节能条例》颁布以后，不少公共机关在实行后勤服务社会化中，将节能作为一项重要内容纳入了物业服务合同，在公共物业节能管理上，如何实现由粗放型向集约型转换，如何实现由......
[学位论文] 作者：李茂顺,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2010
随着集成电路的发展，静态随机存储器(Static Random Access Memory，简称SRAM)逐渐成为数字处理、信息处理、自动控制设备中不可缺少的部件，并被广泛地应用到各类航天器和卫星的...
[期刊论文] 作者：李茂顺,,
来源：水泥 年份：2010
2007年我公司投产一条年产60万t水泥粉磨生产线,烘干采用Φ2.4mx18m顺流回转烘干机,烘干的物料为粉煤灰和矿渣的混合物.烘干机尾部配一台120-2×6型袋式除尘器.烘干机系统在...
[期刊论文] 作者：李鹏伟,郭旗,任迪远,于跃,兰博,李茂顺,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件（CCD）,对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及光响应灵敏度等参数的变化。结果表明,CCD辐...
[期刊论文] 作者：崔江维, 余学峰, 刘刚, 李茂顺, 兰博, 赵云, 费武雄,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
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[会议论文] 作者：李豫东,郭旗,陆妩,余学峰,何承发,李茂顺,兰博,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2010
为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理，对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验，共选取了两种不同的电子通量，辐照后对器件进行了常温退火实验，实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律，实......
Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing
[期刊论文] 作者：兰博,郭旗,孙静,崔江维,李茂顺,陈睿,费武雄,赵云,,
来源：半导体学报 年份：2010
The total-dose response and annealing effect of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors (PMOSFETs) were investigated at various dose rates...
[期刊论文] 作者：兰博,郭旗,孙静,崔江维,李茂顺,费武雄,陈睿,赵云,,
来源：核技术 年份：2010
对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照...
[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,刘刚,李茂顺,兰博,赵云,费武雄,陈睿,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET^60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,...
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,崔江维,李茂顺,李明,王义元,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2010
本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发，分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系，进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。实验结果表明：由于场氧漏电和结构漏电的影响，随着累积剂量的增加输出波形发生畸变，峰峰值......
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,王义元,李豫东,孙静,李茂顺,崔江维,,
来源：强激光与粒子束 年份：2010
为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模...
[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,刘刚,李茂顺,高博,兰博,赵云,费武雄,陈睿,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺...
[期刊论文] 作者：李茂顺,余学峰,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,陈睿,费武,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
对1Mbits的静态随机存储器（SRAM）进行了总剂量辐照及退火试验，试验结果表明：静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大；静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性，非常适合作为辐......
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,郭旗,卫平强,兰博,崔江维,李茂顺,费武雄,陈,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等，在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计。根据U型管两端水平液面恒等原理，在32℃和60℃下比对筛选出具有较......
[期刊论文] 作者：费武雄,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,陈睿,李茂顺,兰博,崔,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^60Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅...
[期刊论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,崔,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明：模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy...
[期刊论文] 作者：赵云,何承发,郭旗,卫平强,兰博,崔江维,李茂顺,费武雄,陈,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等,在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计.根据U型管两端水平液面恒等原理,在32℃和60℃下比对筛选出具有较...
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,吾勤之,刘伟鑫,李豫东,李茂顺,崔江维,王,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 年份：2010
...
[期刊论文] 作者：李茂顺,余学峰,郭旗,李豫东,高博,崔江维,兰博,陈睿,费武雄,赵云,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适...
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