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[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：电子元件与材料 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响。实验结果表明,在退火温...
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺，在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-xSrTiO3)薄膜，再在氧气氛中进行不同条件的退火处理，然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极，从而......
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：华南理工大学学报 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-χsrχTiO3)薄膜,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电...
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,刘玉荣,陈平,
来源：电子元件与材料 年份：2004
利用氩离子束溅射技术,分别在SiO2/Si衬底上淀积了0.5 μm、1μm和2μm的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜,并探讨了薄膜厚度对MIS电容湿敏特性的影响以及薄膜厚度对薄膜电阻的光敏和...
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李观启,李斌,陈蒲生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜,并在氧气中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成MIOS电容结构...
[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,罗坚,李斌,黄美浅,
来源：电子元件与材料 年份：2004
利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积BST薄膜,研究了氧气氛下退火对BST薄膜热敏特性的影响.结果表明,当退火温度不太高时(≤600℃),薄膜热敏特性随退火温度升高而变差;...
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