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[期刊论文] 作者：吕晶,杨瑞霞,武一宾,
来源：半导体技术 年份：2004
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度.采用非接触霍尔方...
[期刊论文] 作者：孙莹,杨瑞霞,武一宾,吕晶,
来源：半导体技术 年份：2004
采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器外延材料.通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量...
[会议论文] 作者：苗振林,武一宾,陈昊,齐国虎,商耀辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条...
[会议论文] 作者：苗振林,武一宾,陈昊,齐国虎,商耀辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条件和残余应力对表面形貌和电性能的影响.并且设计生长了InAs组分线性增加至匹配的常规型......
[期刊论文] 作者：郭荣辉,赵正平,郝跃,刘玉贵,武一宾,
来源：物理学报 年份：2004
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电...
[期刊论文] 作者：李若凡,杨瑞霞,武一宾,张志国,许娜颖,马永强,
来源：物理学报 年份：2004
通过自洽求解一维Poisson-Schrodinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效...
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