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[期刊论文] 作者：刘国柱,张明,郑若成,徐静,王印权,洪根深,,
来源：材料导报 年份：2014
基于1．0μmONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺，主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ONO反熔丝器件特性的影响。研究发现，采用非掺杂多晶硅作为反熔丝孔腐蚀的掩蔽层、低压氧化方式生...
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