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[期刊论文] 作者：王印月,甄聪棉,
来源：半导体光电 年份：2000
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ｔｉ／Ａｕ接触，用ＣＴＬＭ测量了样品退火前后的Ｉ－Ｖ特性，并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型......
[期刊论文] 作者：刘雪芹,王印月,甄聪棉,张静,杨映虎,郭永平,
来源：物理学报 年份：2002
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RB...
[期刊论文] 作者：孙燕杰,何山虎,甄聪棉,龚恒翔,杨映虎,王印月,
来源：半导体光电 年份：1999
系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得......
[期刊论文] 作者：王印月,刘雪芹,郭秋芬,龚恒翔,甄聪棉,杨映虎,
来源：兰州大学学报 年份：2000
采用射频共溅射复合靶(Si+Ge+石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温...
[期刊论文] 作者：刘雪芹,龚恒翔,杨映虎,甄聪棉,蒋钢娟,王印月,
来源：兰州大学学报 年份：1999
用射频（ＲＦ）共溅射复合靶技术和Ｎ２ 气保护下高温退火的后处理方法，在Ｓｉ 衬底上制备出了碳化硅（ＳｉＣ） 薄膜，通过傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ） 、室温光致发光谱（ＰＬ） 、电阻率—温度关系谱、Ｘ 射线光电子谱（ＸＰＳ）等测......
[期刊论文] 作者：王印月,甄聪棉,刘雪芹,闫志军,龚恒翔,杨映虎,何山虎,
来源：半导体光电 年份：2000
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了...
[期刊论文] 作者：王印月,甄聪棉,龚恒翔,阎志军,王亚凡,刘雪芹,杨映虎,何山虎,
来源：物理学报 年份：2000
采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结...
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