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[期刊论文] 作者：何志巍,甄聪棉,兰伟,王印月,
来源：物理学报 年份：2003
以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,采用旋转涂敷的方法 ,结合溶胶 凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2 薄膜 采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性 ,傅里叶变换红...
[期刊论文] 作者：甄聪棉,刘雪芹,何志巍,兰伟,王印月,
来源：硅酸盐学报 年份：2003
纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力.文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位...
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