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[期刊论文] 作者：罗家传,罗家俊,崔晓东,倪闪,
来源：农业科技通讯 年份：2021
通过麦甜不同配方在小麦上的应用试验表明,麦甜+扬彩配方中,随着麦甜用量的增加,白粉病率降低,白粉病级别降低,熟相变好,粒色变亮,饱满度增加,千粒重增加,黑胚率降低。麦甜60...
[期刊论文] 作者：徐宏,崔晓东,倪闪闪,罗家俊,喻婧,张莉,
来源：农业科技通讯 年份：2021
不同施肥模式对小麦产量和效益有一定的影响,合理施肥是促进粮食高产、肥料高效的有效途径。试验结果表明,平均施肥模式对小麦增产增收效果明显,氮、磷、钾3种肥料对比,小麦对氮肥最为敏感。平均施肥模式全肥区产量水平最高,氮肥贡献率为43.5%,磷肥贡献率为8.0%......
[期刊论文] 作者：徐宏,崔晓东,倪闪闪,罗家俊,张莉,喻婧,
来源：农业科技通讯 年份：2021
通过不同包衣剂在小麦上的应用试验结果表明,不同包衣剂对小麦冬前和春季生长有一定的抑制作用,但总体安全,对春季纹枯病有一定的预防作用。综合效果较好的包衣剂有处理1(27%苯醚·咯·噻虫)、处理2(威播)、处理6(23%吡虫·咯·苯甲);处理7(生长调节剂硅丰环)和......
[期刊论文] 作者：杨婉婉,刘海南,高见头,罗家俊,滕瑞,韩郑生,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2021
为满足种类繁多、功能复杂集成电路的单粒子效应评估需求,克服目前国内地面单粒子辐照实验环境机时紧张、物理空间有限等方面的限制,设计实现了一款高效通用的集成电路单粒子...
[期刊论文] 作者：田强,杨婉婉,李力南,郭刚,蔡莉,刘海南,罗家俊,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2021
基于中科院微电子所自主研发的V58300硬件平台,设计实现了一种集成电路功能测试系统。该系统包含上位机与下位机两部分,通过在上位机实时更改测试系统相关I/O的定义和输入的测试向量文件,即可自动完成对各种运行频率在25 MHz及以下,I/O数量在48位及以下双列直插......
[期刊论文] 作者：李垌帅,王芳,王可为,卜建辉,韩郑生,罗家俊,
来源：微电子学 年份：2021
对90 nm PDSOI MOSFET的热阻进行了提取与研究.以H型栅MOSFET为研究对象,将源体二极管作为温度敏感器,通过测量源体结电流与器件温度的关系以及源体结电流与器件功率的关系,...
[期刊论文] 作者：王可为,卜建辉,韩郑生,李博,黄杨,罗家俊,赵发展,
来源：原子能科学技术 年份：2021
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系.器件阈值电压与背栅电压之间的耦合机制会在背栅界面从耗尽型过度到强反型后改变,已有的模型不足以描述改变后的耦合机制.为解决这一问题,本......
[期刊论文] 作者：王可为,卜建辉,韩郑生,李博,黄杨,罗家俊,赵发展,
来源：原子能科学技术 年份：2021
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值电压与背栅电压之间的耦合机制会在背栅界面从耗尽型过度到强反型后改变,已有的模型不足以描述改变后的耦合机制。为解决这一问题,......
[期刊论文] 作者：罗家传,崔晓东,罗家俊,倪闪闪,缑国华,葛红根,徐瑛,
来源：农业科技通讯 年份：2021
小麦新品种泛育麦17是河南省黄泛区实业集团有限公司以泛麦8号-4为母本、以周麦18为父本,于2009年进行有性杂交,采用系谱法,通过抗性鉴定、品质分析、多点试验选育而成。2015-2016年度参加黄淮冬麦区南片水地早播组区域试验,平均亩产537.9 kg,比对照周麦18增产4......
[期刊论文] 作者：智玉欣,蔡小五,赵海涛,夏瑞瑞,刘海南,罗家俊,叶甜春,
来源：微电子学与计算机 年份：2021
本文介绍了一种采用浮地结构的高边功率驱动电路,包括输入级电路、稳压电路、浮地产生电路以及基于电荷泵驱动电路.针对传统驱动电路中存在的地信号干扰,信号串扰问题、栅击...
[期刊论文] 作者：张颢译,曾传滨,李晓静,高林春,罗家俊,韩郑生,
来源：微电子学 年份：2021
研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性.在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比.结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和亚阈值摆幅.在300℃高温下工......
[期刊论文] 作者：姜欢畅,杨晓东,赖震,吴峰,咸振杰,罗家俊,刘志祥,
来源：现代诊断与治疗 年份：2021
目的 调查分析腰椎峡部裂与椎间盘退变相关因素。方法 回顾性分析2018年5月～2021年5月因腰腿痛就诊的200例腰椎单节段峡部裂患者临床资料，分析腰椎峡部裂与椎间盘退变相关因素。根据椎间盘退变程度分为轻度椎间盘退变组和重度椎间盘退变组。对比两组的一般资料及......
[期刊论文] 作者：王娟娟,曾传滨,李江江,倪涛,李晓静,李多力,罗家俊,
来源：半导体技术 年份：2021
为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80 μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试...
[期刊论文] 作者：王加鑫,李晓静,赵发展,曾传滨,李博,韩郑生,罗家俊,
来源：半导体技术 年份：2021
研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD 防护器件在30～195℃内的ESD 防护特性进...
[期刊论文] 作者：张颢译,曾传滨,李晓静,闫薇薇,倪涛,高林春,罗家俊,赵发展,韩郑生,
来源：微电子学与计算机 年份：2021
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果 表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值△I/I=1.9％,远小于PDSOI的△I/I=24.1％.其原因是超薄体FD(全耗尽)SOI的结构优势使......
[期刊论文] 作者：王加鑫,李晓静,赵发展,曾传滨,李多力,高林春,李江江,李博,韩郑生,罗家俊,
来源：中国物理B:英文版 年份：2021
Trigger characteristics of electrostatic discharge(ESD)protecting devices operating under various ambient temperatures ranging from 30℃to 195℃are investigated.The studied ESD protecting devices are the H-gate NMOS transistors fabricated w......
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