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[学位论文] 作者：董作典,,
来源：西安电子科技大学 年份：2009
AlGaN/GaN HEMT器件的微波大功率特性自1993年以来已取得巨大的进步,但是仍然存在许多制约因素限制了其性能的提升和应用的发展。其中大功率工作时GaN缓冲层的漏电引起器件功...
[期刊论文] 作者：刘林杰,岳远征,张进城,马晓华,董作典,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2009
采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证...
[期刊论文] 作者：张进成,郑鹏天,董作典,段焕涛,倪金玉,张金凤,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2009
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同...
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