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[期刊论文] 作者：董四华,梁璐,杨光晖,,
来源：半导体技术 年份：2014
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点...
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