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[期刊论文] 作者：张斌,李拂晓,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
宽带GaAS MMIC功率放大器是雷达及微波宽带测试中的关键部件,在有关电子系统和微波通信中得到广泛应用.南京电子器件研究所最近研制成功的7～18 GHz宽带大功率放大器,具有比较...
[期刊论文] 作者：彭龙新,蒋幼泉,林金庭,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功.此两级放大器的特点是,性能稳定,频带宽,噪声低,增益高而平坦,可直接由+5 V单电源供电,无需外加偏置电路,输入输出由MI...
[会议论文] 作者：陈新宇;许正荣;蒋幼泉;张斌;李拂晓;邵凯;,
来源：2003中国国际集成电路研讨会 年份：2003
本文采用GaAs集成电路的设计和工艺技术，研制开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关集成电路，电路拓扑采用串并结构，在0.9GHz，插入损耗小于0.9dB，隔离度典型值为50dB，产品性能指标......
[会议论文] 作者：许正荣,陈新宇,蒋幼泉,张斌,李拂晓,邵凯,
来源：2003全国微波毫米波会议 年份：2003
基于成熟的GaAs集成电路的设计和工艺技术,采用准确的控制电路模型,开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关芯片电路,电路拓扑采用串并型结构,在0.9GHz,插入损耗小于0.9dB,隔离度典型值为50dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs开关电路采用3英寸GaAs圆片标准......
[期刊论文] 作者：胡少坚,夏冠群,冯明,詹琰,陈新宇,蒋幼泉,李拂晓,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL...
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,黄念宁,钮利荣,陈新宇,邵凯,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距...
[期刊论文] 作者：陈新宇,徐全胜,陈继义,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1～20 GHz频率范围内,器件测试值与模型模拟值吻合较好....
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,陈继义,钮利荣,高建峰,邵凯,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
采用砷化镓76 mm 0.7 μm离子注入MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓DPDT单片射频开关(以下简称单片开关). 该单片开关面积1 310 μm×1 250 μm,总栅宽36 mm,工作频率DC...
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