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[期刊论文] 作者：李俊,周帆,张建华,蒋雪茵,张志林,
来源：发光学报 年份：2012
制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,...
[期刊论文] 作者：张浩,王立,容佳玲,曹进,张志林,蒋雪茵,张建华,,
来源：发光学报 年份：2012
以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件（ITOLED）。以八羟基喹啉铝（Alq3）作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时，器件的开启电压为3．6V，发光......
[期刊论文] 作者：李俊,周帆,林华平,张浩,张建华,蒋雪茵,张志林,,
来源：发光学报 年份：2012
采用N20plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物（IGZO）作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比，N2Oplasllla处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的...
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