【摘 要】
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采用N20plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物（IGZO）作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比，N2Oplasllla处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室
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采用N20plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物（IGZO）作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比，N2Oplasllla处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4．5Cln2·V^-1·s“增加至8．1cm^2·V·s^-1，阈值电压由原来的11．5V减小至3．2V，亚阈值摆由原来的1．25V／decade减小至0．9V／decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态，结果发现N：0plasma处理过的IG
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