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[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：1989
本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs量于阱中的Г-X混和现象.介绍了Г态、X态和能级高于势垒的谐振态的特点.给出了谐振态能级随势阱和势垒层宽变化的关系.阐述了超薄层...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：1995
由大量ＰＬ和ＰＬＥ光谱的实验分析得出多孔硅的发光既具有纳米硅中带带跃迁的特征，又受不同表面状态的制约。本文从多孔硅表面化学键叠加构成二维界面势的模型出发提出了表面化学键制约......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：1998
使用量子阱能带混合隧穿共振理论和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算研究了异质谷间转移器件的双能谷电子注入、两种谷间转移电子的相互作用、有源层电场分布及异质结电压的触发功能，首次发现了ＧａＡｓ器件中......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：仪器仪表学报 年份：1996
多孔硅纳米材料中的ＰＬ、ＣＬ光谱和复合量子态的研究薛舫时（南京电子器件研究所）多孔硅中的ＰＬ、ＰＬＥ和ＣＬ光谱是研究其发光性能和探索发光机理的一种重要手段。实验中所观察到的光谱特性既有别......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：半导体杂志 年份：1996
本文简要介绍了近年来微波半导体器件及集成电路的发展概况。重点阐述异质结材料生长、器件设计和工艺研究、以及微波集成电路方面的最新进展。从半导体异质结器及其电路发展...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体杂志 年份：1995
半导体超晶格微结构中的多能谷效应（２）薛舫时（半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所２１００１６）六、异质谷间转移电子效应和Ｘ电子发生器ＧａＡＳ是直接带隙材料，它的导带底位于布里渊区中心......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：半导体杂志 年份：1995
本文从半导体量子阱的量子限制效应出发,研究了布里渊区中的多能谷效应。应用这一模型导出了超晶格中的谐波直接带隙,从而解释了锗硅应变超晶格发光特性,由此设计出优化的锗...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1986年12月13日至18日在福建省泉州市举行了第四届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议。来自全国各科研单位,高等...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
本文从单带双谷模型出发研究了电子在量子阱内遭到散射时电子状态及隧穿几率的变化。弹性散射使用δ散射势来计算,非弹性散射则用虚散射势来描述。前者使隧穿电流峰向高电压...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文使用单带双谷理论研究了直接/间接能隙量子阱中的能带混和现象.研究了量子阱中的束缚态随合金组分和液体静压力变化的关系.讨论了由第Ⅰ类超晶格向第Ⅱ类超晶格的转变.最...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文使用单带双谷模型和隧道谐振方法计算了电场作用下耦合量子阱和超晶格中的电子态.计算中考虑了能谷的非抛物线性和Г,Х两个能谷的贡献.算得的耦合量子阱能级同实验结果...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
使用分区变分法计算了GaAs、GaP、AlAs和AlP的能带。运用三个势场调整参数所算出的能带和实验结果基本吻合。在个别能级次序方面得到了同以往理论不同的结果。用所得的晶体势...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
用硅－氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的各类电子状态，分析了各种状态的能带属性及其量子限制特性，从而解释了实验中观察到的量子限制态和非量子限制态。在有效......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：2000
使用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟方法和器件振荡特性测试研究了异质谷间转移电子器件的直流隧穿特性和射频振荡性能与器件结构参数之间的关系。理论计算结果与实验数据间吻合得很好。在此基础上提......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：1997
本文用硅－氧化硅复全纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态。理论计算表明，随着电子能量的升高Δ波和Γ波之间产生了极强的相互耦合，形成一对强．...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体学报 年份：1991
本文提出了一种新的多能谷有效质量杂质电子态理论.它用导带中的Γ、X和L三个能谷的有效质量包络函数来描述杂质电子波函数,从而得出了杂质态的能谷属性.用此理论计算了GaAs_...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：微纳电子技术 年份：2002
从GaAs/AlAs量子阱的量子限制、能带混合和隧穿共振中发现了新的异质谷间转移电子效应.用它制成了定位精度高的高效谷间电子布居控制极.把这种控制极设置于耿氏有源层的阴极...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体情报 年份：2001
应用AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化边界条件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,求出了异质结能带和二维电子气分布.研究了势垒层组分比、势垒层宽度、沟道层掺杂和栅...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体情报 年份：1997
介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间的转移电子效应。运用这一新物理效应设计了新的异质谷间转移电子器件。给出了器件连续波和脉冲工作时的频振荡特性。使用多能...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：半导体杂志 年份：1997
介绍了能带混合量子阱中的多能谷混合和异质谷间转移电子效应。运用这一新物理效应设计制成了新的异质谷间转移电子器件。通过二级管的振荡和放大性能测试从实验上研究了能带...
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