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[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1／f噪声。从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
从AlGaN／GaN沟道阱电子状态出发，深入研究了GaN HFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒，来抬高势垒和增大势垒宽度，强化沟道阱的量子限制。强调了......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态，发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF。等离子体处理对AlGaN／GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹...
[期刊论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,耿涛,薛舫时,陈辰,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN／GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后，器件击穿电压由80V提高到了180V以上，保证了器件...
[期刊论文] 作者：任春江,陈堂胜,焦刚,钟世昌,薛舫时,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MI...
[期刊论文] 作者：韩春林,邹鹏辉,高建峰,薛舫时,张政,耿涛,陈辰,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并...
[期刊论文] 作者：韩春林,陈辰,邹鹏辉,张杨,曾一平,薛舫时,高建峰,张政,耿涛,,
来源：半导体学报 年份：2009
We have fabricated In0.53Ga0.47As/AlAs/InP resonant tunneling diodes(RTDs) based on the air-bridge technology by using electron beam lithography processing.The...
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