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[学位论文] 作者：谢红云,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2006
疏波分复用(Coarse Wavelength Division Multiplexing，CWDM)技术适用于城域网和接入网，信道间隔宽(ITU-T标准为20nm)，要求网络成本低性能稳定。适用于CWDM系统的波长可选分布反...
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,谢红云,邱建军,王扬,,
来源：电子器件 年份：2006
从热电反馈网络角度出发，在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性（△Ev）、重掺杂禁带变窄（△Eg）及基极和发射极加入镇流电阻（RB和RE）等情况下，首次较全面地给出了......
[会议论文] 作者：康志龙,陈国鹰,辛国锋,谢红云,
来源：2006年二十一世纪中国光电产业发展论坛 年份：2006
本文阐述了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势，详细地介绍了几种半导体激光器，Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势。...
[期刊论文] 作者：杨华,朱洪亮,谢红云,赵玲娟,周帆,王圩,,
来源：半导体学报 年份：2006
分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧...
[期刊论文] 作者：杨华,朱洪亮,谢红云,赵玲娟,周帆,王圩,
来源：半导体学报 年份：2006
分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导．结果表明，低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用，通过加氧化硅......
[期刊论文] 作者：张万荣,张蔚,金冬月,谢红云,肖盈,王扬,李佳,沈佩,,
来源：微电子学 年份：2006
Si的热导率比大部分化合物半导体（如GaAs）的热导率高，SiGeHBT在一个较宽的温度范围内稳定，SiGeHBT的发射结电压V雎的温度系数dVBE／dT比Si的小，双异质结SiGeHBT本身具有热一电耦合自...
[期刊论文] 作者：张万荣,王扬,金冬月,谢红云,肖盈,何莉剑,沙永萍,张蔚,,
来源：微电子学 年份：2006
测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和...
[期刊论文] 作者：张万荣,何莉剑,谢红云,杨经伟,金冬月,肖盈,沙永萍,王扬,,
来源：微电子学 年份：2006
利用自洽迭代数值计算方法，对多发射极微波功率SiGeHBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明，通过对晶体管发射极条长、条间距的调整，可以有效地改善芯片温度分布的不均......
[期刊论文] 作者：张万荣,沙永萍,谢红云,刘颖,张静,张正元,刘伦才,刘道广,,
来源：微电子学 年份：2006
从实验上研究了版图尺寸对Si／SiGeHBT高频噪声特性的影响。结果表明，在现有工艺条件下，减少外基区电阻（即减少发射极与基区间距），对降低高频噪声很显著。增加基极条数、增加条长也......
[期刊论文] 作者：张万荣,何莉剑,谢红云,杨经伟,金冬月,肖盈,沙永萍,王扬,张蔚,,
来源：微电子学 年份：2006
利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的...
[会议论文] 作者：王路;谢红云;赵玲娟;潘教青;周帆;边静;王鲁峰;朱洪亮;王圩;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(Distributed Feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入...
[期刊论文] 作者：张万荣,沙永萍,谢红云,刘颖,张静,张正元,刘伦才,刘道广,王健安,徐学良,陈光炳,,
来源：微电子学 年份：2006
从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响。结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),对降低高频噪声很显著。增加基极条数、增加...
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