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[期刊论文] 作者:吴琪,谢红云,段垒,, 来源:城市道桥与防洪 年份:2011
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者:沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄毅文, 来源:高技术通讯 年份:2011
设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA)。因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中,使......
[期刊论文] 作者:刘波宇,张万荣,谢红云,金冬月,丁春宝, 来源:电子器件 年份:2011
基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响...
[期刊论文] 作者:付强,张万荣,金冬月,谢红云,赵昕,王任卿,, 来源:半导体技术 年份:2011
相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,...
[会议论文] 作者:谢红云,张矾,卢超,徐晓臻,张焕欣, 来源:2011核能行业仿真技术及应用研讨会 年份:2011
岭澳二期核电站采用数字化DCS后,首次在国内开展核电站先进控制室及人机接口的自主设计工作,属于重大技术创新。新型主控室设计需要进行验证和确认(V&V),以保证能够维持电厂...
[期刊论文] 作者:肖盈,张万荣,金冬月,陈亮,王任卿,谢红云,, 来源:物理学报 年份:2011
众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,...
[期刊论文] 作者:周永强,王立新,张万荣,夏洋,谢红云,丁春宝,, 来源:电子器件 年份:2011
金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物理参量,均对器件性能有很大影响。采用三维电磁仿真软件EMDS和射...
[期刊论文] 作者:陈亮,张万荣,金冬月,谢红云,胡宁,肖盈,王扬,, 来源:北京工业大学学报 年份:2011
为了增强多发射极指S iGe HBT的热稳定性,提出了发射极指分段与非均匀指间距组合的新型器件结构.使用有限元方法对新型结构的S iGe HBT进行热分析,得到了发射极指上的三维温...
[期刊论文] 作者:尤云霞, 张万荣, 金冬月, 谢红云, 沈珮, 丁春宝, 孙, 来源:电子器件 年份:2011
基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出...
[期刊论文] 作者:陈亮,张万荣,金冬月,谢红云,肖盈,王任卿,丁春宝,, 来源:物理学报 年份:2011
为了提高多发射极功率异质结双极晶体管的热稳定性,本文利用耦合热阻表征发射极指间距变化对发射极指间热耦合作用的影响,得到了耦合热阻与发射极指间距之间的变化关系,提出...
[期刊论文] 作者:孙博韬,张万荣,金冬月,谢红云,丁春宝,尤云霞,王任卿,, 来源:半导体技术 年份:2011
噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原...
[期刊论文] 作者:赵昕,张万荣,金冬月,谢红云,付强,张东晖,刘波宇,周永强,, 来源:微电子学 年份:2011
建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出了发射极指间距的非均匀化优化技术。在不同...
[期刊论文] 作者:谢红云,路志义,霍文娟,丁春宝,刘波宇,张东晖,张万荣,, 来源:北京工业大学学报 年份:2011
为研究反馈技术对宽带放大器增益平坦度的影响,从异质结晶体管(HBTs)的小信号模型入手,得到几种不同反馈形式下HBTs的S参数解析表达式.分析不同反馈形式对S参数的影响及传输增益S2......
[期刊论文] 作者:陈亮,张万荣,金冬月,沈珮,谢红云,丁春宝,肖盈,孙博韬,王任卿,, 来源:Chinese Physics B 年份:2011
A method of non-uniform finger spacing is proposed to enhance thermal stability of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under differen...
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