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[期刊论文] 作者：谢茂浓,
来源：微电子学 年份：2004
本文报导用脉冲CO_2激光辐照磷扩散多晶硅,获得多晶硅薄层电阻从17Ω/□降低到7.4Ω/□的结果。并用扫描电子显微镜观察了激光辐照后的表面结构形貌。对激光辐照多硅的热稳定...
[期刊论文] 作者：谢茂浓, 谭同余, 焦其书,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2004
本文对P型（100）无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=ktnexp（-E/KT）.对于干氧氧化,n和E分别为0.62和2.08...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,唐琳,彭志坚,傅鹤鉴,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2004
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088cm-1范围变化；XPS谱给出Si2p的结合能为103．3～1......
[期刊论文] 作者：彭志坚,司文捷,谢茂浓,傅鹤鉴,苗赫濯,
来源：物理化学学报 年份：2004
设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度...
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