搜索筛选:
搜索耗时0.8109秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：谷文萍,
来源：西安电子科技大学 年份：2009
Ⅲ族氮化物材料是制造高压、高温、高频(RF)电子器件的理想材料，对其研究成为了国内外广泛关注的焦点。由于综合性能优势，氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)等器件成为航...
[期刊论文] 作者：刘其春,肖慧,唐春柳,谷文萍,,
来源：国际神经病学神经外科学杂志 年份：2009
近年来对重要的炎症信号分子启动及促进缺血后炎症反应作用的研究取得了许多进展,如NF-κB对前炎症基因的表达和调控有协调作用;黏附分子在脑缺血区域水平上调;缺血诱导NO生...
[期刊论文] 作者：谷文萍,郝跃,张进城,王冲,冯倩,马晓华,,
来源：物理学报 年份：2009
采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以...
[期刊论文] 作者：谷文萍,张进城,王冲,冯倩,马晓华,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2009
采用60Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导...
[期刊论文] 作者：刘其春(综述),肖慧(综述),唐春柳(综述),谷文萍(审校),
来源：国际神经病学神经外科学杂志 年份：2009
近年来对重要的炎症信号分子启动及促进缺血后炎症反应作用的研究取得了许多进展，如NF—KB对前炎症基因的表达和调控有协调作用；黏附分子在脑缺血区域水平上调；缺血诱导NO生成增......
[期刊论文] 作者：谷文萍,王妮妮,唐春柳,宋小明,李伟,梁静,杨期东,,
来源：中风与神经疾病杂志 年份：2009
目的探讨P．选择素C-2123G基因多态性与中国湖南地区汉族人群脑卒中的关系。方法应用聚合酶链反应．限制性片段长度多态性（PCR．RFLP）技术检测311例脑卒中患者和174例健康对照者P-选......
[期刊论文] 作者：段焕涛,谷文萍,张进成,郝跃,陈炽,倪金玉,许昇瑞,,
来源：半导体学报 年份：2009
The crystal quality, stress and strain of GaN grown on 4H-SiC and sapphire are characterized by high resolution X-ray diffraction(HRXRD) and Raman spectroscopy....
High-electric-field-stress-induced degradation of SiN passivated AlGaN/GaN high electron mobility tr
[期刊论文] 作者：谷文萍,段焕涛,倪金玉,郝跃,张进城,冯倩,马晓华,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are fabricated by employing SiN passivation, this paper investigates the degradation due to the high-electr...
[期刊论文] 作者：谷文萍,陈炽,段焕涛,郝跃,张进城,王冲,冯倩,马晓华,,
来源：半导体学报 年份：2009
Unpassivated/passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were exposed to 1.25 MeV 60Co γ-rays at a dose of 1 Mrad(Si). The saturation drain...
相关搜索：
