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[期刊论文] 作者：谷文萍,全思,张林,徐小波,刘盼芝,,
来源：半导体技术 年份：2015
采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,...
[期刊论文] 作者：谷文萍,全思,张林,徐小波,刘盼芝,杨丽媛,,
来源：半导体技术 年份：2015
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。...
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