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[期刊论文] 作者：刘炎华,刘静,赖宗声,,
来源：电子与封装 年份：2011
片上系统是使用共享或专用总线作为芯片的通信资源。由于这些总线具有一定的限制,因此扩展性较差,不能满足发展需求。在这种情况下,目前的片内互连结构将成为多核芯片的发展...
[期刊论文] 作者：阮颖,叶波,陈磊,赖宗声,,
来源：半导体技术 年份：2011
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏...
[期刊论文] 作者：阮颖,刘炎华,陈磊,赖宗声,,
来源：电子与信息学报 年份：2011
针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极偏置的DC通路中采用电阻负......
[期刊论文] 作者：苏杰,张书霖,陈磊,赖宗声,,
来源：微电子学 年份：2011
基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4~2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和...
[期刊论文] 作者：张小军,田应洪,余磊,冉峰,赖宗声,,
来源：应用科学学报 年份：2011
通过分析节点的信息分布和量化饱和效应，提出一种基于伸缩因子的量化方案．该方案不但对校验节点和变量节点的信息进行伸缩，同时还对初始化阶段的信道信息进行伸缩处理．通过对节点......
[期刊论文] 作者：任旭,谢淼,张勇,赖宗声,张润曦,,
来源：微电子学 年份：2011
设计了一款应用于多模多频无线接收机中的新型有源电阻电容信道选择滤波器,截止频率可在0.3～10MHz之间切换,满足UHF RFID、TD-SCDMA、WLAN a/b/g等不同标准的要求。运算放大器...
[期刊论文] 作者：黄飞,任旭,张勇,张润曦,赖宗声,,
来源：微电子学 年份：2011
设计了一种基于运算放大器和电阻反馈网络的宽带全差分可编程增益放大器。该可编程增益放大器(PGA)采用三级级联结构,实现增益为1~57 dB可变,步长为2 dB。PGA中运放采用零点...
[期刊论文] 作者：张伟,刘盛富,张书霖,陈磊,赖宗声,,
来源：微电子学 年份：2011
设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18...
[期刊论文] 作者：朱彤,黄飞,谢淼,赖宗声,张润曦,,
来源：微电子学 年份：2011
基于Grace 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种带低压差线性稳压器的低温度系数带隙基准源。仿真结果表明,在1.8 V供电下,带隙基准电路从电源电压上抽取约340μA电流,在-40℃~85...
[期刊论文] 作者：刘盛富,张伟,张书霖,陈磊,冉峰,赖宗声,,
来源：微电子学 年份：2011
基于宏力半导体公司0.18μm SiGe HBT工艺,提出了一种应用于UHF(860~960MHz)RFID频段的增益可控驱动放大器(DA)。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,其中...
[期刊论文] 作者：陈磊,阮颖,苏杰,张书霖,石春琦,赖宗声,,
来源：半导体学报 年份：2011
A fully monolithic power amplifier(PA) for multi-mode front end IC integration is presented.The PA is fabricated in an IBM 7WL 0.18μm SiGe BiCMOS process with...
[期刊论文] 作者：胡骁,蒋颖丹,徐倩龙,石春琦,赖宗声,张润曦,,
来源：微电子学 年份：2011
提出了一种CMOS宽带正交直接变频下变频器,片上集成了正交本振相位发生器。混频器采用三段式结构,包括跨导级、开关级和跨阻级作为输出级。跨导级采用互补型结构,在相同的功...
[期刊论文] 作者：张书霖,陈磊,严琼,张伟,刘盛富,苏杰,赖宗声,石艳玲,徐世美,杨飞,,
来源：微电子学 年份：2011
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus软件中的BSI MSOI MOS模型,根据MOS管宽长比...
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