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[期刊论文] 作者：阮颖,朱武,张书霖,赖宗声,,
来源：半导体技术 年份：2012
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构...
[期刊论文] 作者：谢淼,任旭,马聪,张润曦,赖宗声,,
来源：微电子学 年份：2012
基于GSMC 0.18μm RF CMOS工艺,实现了一种8阶有源RC信道选择滤波器,其截止频率在200kHz～10MHz范围内可调,能覆盖GSM,UHF RFID,TD-SCDMA,IEEE 802.11a/b/g等不同频段。提出一...
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