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[期刊论文] 作者：方杰, 刘泽文, 赵嘉昊, 陈忠民, 韦嘉, 刘理天, 李志,
来源：半导体学报 年份：2006
分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感...
[期刊论文] 作者：方杰,刘泽文,赵嘉昊,陈忠民,韦嘉,刘理天,李志坚,
来源：半导体学报 年份：2006
分析比较了不同种类衬底上无源器件（片上电感和电容）的损耗机理，在OPS（氧化多孔硅）和HR（高阻硅）低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器．为了研究衬底损耗，设计了平面螺旋电感，其Q值在两......
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