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[会议论文] 作者：赵晓蒙,张杨,曾一平,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9～1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数(包括生长温度,Ⅲ/Ⅴ),在没有插入任何缓冲...
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