高迁移率InSb薄膜的生长及其电学性能分析

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjxiaolin

【摘要】

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　　采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9～1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数(包括生长温度,Ⅲ/Ⅴ),在没有插入任何缓冲

【作者】

：

赵晓蒙张杨曾一平

【机构】

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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

【出处】

：

第十一届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2015年8期

【关键词】

：

高迁移率 InSb 分子束外延

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　　采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9～1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数(包括生长温度,Ⅲ/Ⅴ),在没有插入任何缓冲层的情况下获得了迁移率高达44600cm2/V.s的InSb薄膜,其表面粗糙度仅为0.20nm.变温Hall测试的结果表明,InSb薄膜在300K迁移率达到峰值,这是由于位错散射和声子散射共同作用的结果.

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