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[期刊论文] 作者：罗俊,向培胜,赵胜雷,王毅,刘涛,陈光炳,,
来源：微电子学 年份：2013
加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命...
Influence of a drain field plate on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electr
[期刊论文] 作者：赵胜雷,陈伟伟,岳童,王毅,罗俊,毛维,马晓华,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
In this paper,the influence of a drain field plate(FP)on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT)is investig...
[期刊论文] 作者：张凯,曹梦逸,雷晓艺,赵胜雷,杨丽媛,郑雪峰,马晓华,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
A novel source-connected field plate structure, featuring the same photolithography mask as the gate electrode, is proposed as an improvement over the conventio...
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