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[期刊论文] 作者：刘军林,邱冲,江风益,,
来源：光学学报 年份：2010
在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较,结果表明SiON钝化膜...
[期刊论文] 作者：肖友鹏,莫春兰,邱冲,江风益,
来源：发光学报 年份：2010
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正...
[期刊论文] 作者：封飞飞,刘军林,邱冲,王光绪,江风益,,
来源：物理学报 年份：2010
在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N...
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