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[期刊论文] 作者：郑一阳,张进昌,
来源：电子学报 年份：2004
本文研究了Gunn器件中的畴雪崩阈值与温度的依从关系,证实了畴雪崩阈值也是随温度的增加而增加的。我们利用这一关系测量了普通Gunn器件的热阻,发现在工作点测得的热阻要比在...
[期刊论文] 作者：郑一阳,张进昌,
来源：半导体学报 年份：2004
本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形,而可以得到整个有源区内较为平坦的电场分...
[期刊论文] 作者：郑一阳,张进昌,刘衍芳,彭少近,卢文宏,沈桂贤,张颖竹,苏桂祥,贾奎友,
来源：电子学报 年份：2004
本文首次报导了用InGaAs材料制备的Hall器件。该器件具有输出灵敏度高(比GaAs高50％),功耗小,欧姆接触好以及在较宽的温区(4K到480K)内工作等特点。在4K温度时,可以工作到80kG...
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