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[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:财经研究 年份:1988
利用低薪劳动力降低生产成本,增强产品竞争力,进而扩大国际市场,历来是发达国家对发展中国家直接投资的主要目的之一。不少发展中国家也希望通过这种低薪劳动力的优势来...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:电子与仪表技术 年份:1995
本文在大量实验的基础上,对紧凑型电子节能灯的可靠性进行了分析,提出了提高节能灯可靠性的原则与措施。...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:财经研究 年份:2001
如何准确地理解与运用国民待遇原则,是关系到我国能否有效地减轻发达国家的市场开放压力,保护民族产业的重大问题.本文在对国民待遇原则的概念作了整理后,进一步揭示了美国推...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:微电子学 年份:1995
本文介绍了静电屏蔽晶体管(GAT)的结构与器件性能,该器件具有高耐压,高速和低饱和压降等优良特性。本文对该器件的结构作了较为详细的分析研究。...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:财经研究 年份:1996
成立于1974年的美国贸易法301条,是第二次世界大战后,世界贸易中发生的最重大的历史事件之一。时至今日,贸易法301条经过多次精心修改,又出现了超级301条、特殊301条两...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:世界经济文汇 年份:1995
本文通过对乌拉圭回合服务贸易谈判的背景和过程的分析,从“维持现状义务”、“市场准入”与国民待遇两个方面,全面细致地分析了发达国家特别是美国在服务贸易问题上的战略意...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:复旦学报:社会科学版 年份:1995
本文从乌拉圭回合的知识产权谈判中的几个侧面,分析了美国知识产权的战略。重点阐述了把知识产权放进关贸总协定的背景、原因,指出这是发达国家尤其是美国为了强化竞争力的一种手段。同时,作者对谈判中的物质专利和强制许可权进行了剖析,并从理论上对专利问题作了经......
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:财经研究 年份:1989
大力加强对交通、通讯等城市公用事业的投资,是保证我国国民经济顺利发展的先决条件。但是,这种大规模的投资也是引起投资膨胀进而通货膨胀的诱因。如何克服这一矛盾,做到既...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:微细加工技术 年份:1992
本文结合我们的科研工作,阐述了半导体器件工艺模拟中的离子注入模型,并指出,由于离子注入具有能精确控制工艺参数,并能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层等特点,因此在工艺...
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:世界经济研究 年份:1998
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:世界经济研究 年份:1998
[学位论文] 作者:郑海东, 来源:石油大学 中国石油大学(北京) 年份:2000
论文共分四章.第一章对成本中心的理论进行了简要介绍:先给出了成本中心的概念,然后从理论上分析了成本中心的建立原则和运作模式,并概括了理想成本中心管理模式的基本特征.第......
[期刊论文] 作者:郑海东, 来源:外国经济与管理 年份:1996
乌拉圭回合争端处理机制改革的真相郑海东1993年12月结束的历时8年的乌拉圭回合中,作为新的谈判领域,争端处理机制的改革问题一直是各国最重视、交锋最激烈的议题之一。1995年1月,随着世界贸......
[期刊论文] 作者:郑海东,陈晓明, 来源:压电与声光 年份:1995
回顾了Si面键合技术的历史,研究了国外此工艺技术发展过程与趋势,分析了Si面直接键合技术的特点和它在压电与声光器件中的应用。...
[期刊论文] 作者:斋藤优,郑海东, 来源:外国经济与管理 年份:1985
【正】 近年来,国际技术摩擦日益加剧。在所谓贸易摩擦和投资摩擦中,也有相当部分实质上源于技术摩擦,而且这些摩擦往往相互交织,情况错综复杂,因此解决这一问题已刻不容缓。...
[期刊论文] 作者:郑海东,叶勇, 来源:工业控制计算机 年份:2002
介绍了使用菲利普单片机对电力变压器负荷数据和运行状况进行实时采集、检测、处理的实用系统。整个系统由三个独立的部分组成:现场实时数据采集器、便携式数据抄录器、数据...
[期刊论文] 作者:郑海东,郑波,, 来源:中国经济体制改革 年份:1990
高等院校与工厂企业的联系与协作,即厂校横向联合,是改革中涌现出来的一种新事物。协作主要是利用高等院校较强的科研力量,较完善的实验和测试手段以及工厂企业的生产、销售...
[期刊论文] 作者:香西泰, 郑海东,, 来源:外国经济参考资料 年份:1983
【正】 本文旨在探讨过去是否运用过、今后是否应该运用凯恩斯政策的问题。这里所谈的凯恩斯政策仅限于:(1)以充分就业为目的,以相机决择的财政金融政策为手段的总需求政策,...
[期刊论文] 作者:郑海东,陈启秀, 来源:电子与仪表技术 年份:1992
[期刊论文] 作者:郑海东,陈启秀,, 来源:微处理机 年份:1992
联栅晶体管(Gate Associ—ated Transistor)是一种结构改进的双极型晶体管,它具有高开关速度、高反压、低饱和压降等特点。本文讨沦了联栅晶体管的结构与性能,分析了联栅管H_...
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