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[会议论文] 作者：代盼,陆书龙,罗向东,季莲,谭明,吴渊渊,杨辉,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
通过时间分辨发光(TRPL)和温度依赖的电流电压特性研究了分子束外延生长的GaInP电池中的光学性质和载流子输运特性.由于其较低的界面复合GaInP/AlInP异质结比GaInP/AlGaInP的...
[会议论文] 作者：陈俊霞,贾少鹏,江德生,边历峰,陆书龙,杨辉,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文通过时间分辨谱(TRPL)研究了采用金属有机气相外延(MOVPE)法生长的超薄AlAs界面层对Ge基GaInP外延层的超快光学特性的影响.低温下不同延迟时间分辨谱研究表明,有序GaInP...
[会议论文] 作者：季莲;吴渊渊;代盼;谭明;边历峰;陆书龙;杨辉;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文分别采用InP和InAlAs作为背场生长InGaAsP太阳电池.InP作为背场的InGaAsP电池开路电压0.545V,短路电流44.51 mA/cm2,转换效率达到18.8％,性能优于InAlAs作为背场的电池...
[会议论文] 作者：王青松,谭明,池田昌夫,吴渊渊,陆书龙,杨辉,代盼,陈俊霞,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO/n-GaAs之间非整流接...
[会议论文] 作者：王青松,谭明,池田昌夫,代盼,吴渊渊,陈俊霞,陆书龙,杨辉,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO/n-GaAs之间非整流接触的研究.利用圆形传输线模型的方法来测试不同退火温度下样品的接触电阻率,得到ITO与金......
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