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[期刊论文] 作者：陈宏铭, 张昭勇,,
来源：中国集成电路 年份：2018
本文介绍了28nm/40nm存储器I P的设计挑战及智原科技提供的相应解决方案。硅验证的结果也证明了有效性。这些技术包括:ROM设计裕度改进、SRAM读写辅助方案、在低VCC电压自适...
[期刊论文] 作者：陈朢矜,陈宏铭,
来源：中国集成电路 年份：2018
目前,高速IP在现代片上系统设计中得到了广泛的应用。这些高速IP如DDR3/4、USB2/3、SATA、PCIe、SERDES工作在每秒数千兆比特。为了确保这些IP在系统中正常工作,信号完整性（SI...
[期刊论文] 作者：陈宏铭,黄昱人,蔡鸿寅,朱伟涛,黄耀林,
来源：中国集成电路 年份：2018
HBM高速内存接口设计解决现代DDR的两个关键问题,它增加了内存的可用带宽与降低功耗。本文介绍了第二代高带宽存储器(HMB2)高速内存控制器与物理层IP与配套晶圆基底封装(COWO...
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