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[期刊论文] 作者：倪铭,余金山,马驰远,,
来源：微电子学 年份：2015
基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45nm CMOS器件I-V特性...
[期刊论文] 作者：刘胜,陈海燕,马驰远,,
来源：计算机教育 年份：2015
介绍ISW的概念,以讲授研究生课程VLSI设计与验证为背景,介绍参加ISW培训班的体会和收获,阐述ISW在课堂内容传授方法等方面的改进和启发,给出相关的数据统计,指出按照ISW培训...
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