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[期刊论文] 作者：祁菁,金晶,胡海龙,高平奇,袁保和,贺德衍,,
来源：物理学报 年份：2006
以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制...
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