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[期刊论文] 作者：高玉竹,王卓伟,龚秀英,,
来源：光子学报 年份：2009
为了获得P型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响，用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的P型-InAsSb外延层．用傅里叶红外光谱仪、VanderPauw法和电子探针微分析...
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